BALLUFF传感器说明书，德国BALLUFF传感器说明书，BALLUFF

BALLUFF传感器说明书，德国BALLUFF传感器说明书，BALLUFF/39529839/39529830：单荣兵
BALLUFF传感器从而使温度计的示值能直接表示被测对象的温度。般测量精度较高。在定的测温范围内，温度计也可测量物体内部的温度分布。但对于运动体、小目标或热容量很小的对象则会产生较大的测量误差，常用的温度计有双金属温度计、玻璃液体温度计、压力式温度计、电阻温度计、热敏电阻和温差电偶等。它们广泛应用于工业、农业、商业等部门。在日常生活中人们也常常使用这些温度计。随着低温技术在*、空间技术、冶金、电子、食品、医药和石油化工等部门的广泛应用和超导技术的研究，测量120K以下温度的低温温度计得到了发展，如低温气体温度计、蒸汽压温度计、声学温度计、顺磁盐温度计、量子温度计、低温热电阻和低温温差电偶等。低温温度计要求感温元件体积小、准确度高、复现性和稳定性好。利用多孔高硅氧玻璃渗碳烧结而成的渗碳玻璃热电阻就是低温温度计的种感温元件，可用于测量1.6～300K范围内的温度。BALLUFF传感器说明书，德国BALLUFF传感器说明书，BALLUFF/39529839/39529830：单荣兵

BALLUFF传感器zui常用的非接触式测温仪表基于黑体辐射的基本定律，称为辐射测温仪表。辐射测温法包括亮度法（见光学高温计）、辐射法（见辐射高温计）和比色法（见比色温度计）。各类辐射测温方法只能测出对应的光度温度、辐射温度或比色温度。只有对黑体（吸收全部辐射并不反射光的物体）所测温度才是真实温度。如欲测定物体的真实温度，则必须进行材料表面发射率的修正。而材料表面发射率不仅取决于温度和波长，而且还与表面状态、涂膜和微观组织等有关，因此很难测量。在自动化中往往需要利用辐射测温法来测量或控制某些物体的表面温度，如冶金中的钢带轧制温度、轧辊温度、锻件温度和各种熔融金属在冶炼炉或坩埚中的温度。在这些具体情况下，物体表面发射率的测量是相当困难的。对于固体表面温度自动测量和控制，可以采用附加的反射镜使与被测表面起组成黑体空腔。附加辐射的影响能提高被测表面的辐射和发射系数。利用发射系数通过仪表对实测温度进行相应的修正，zui终可得到被测表面的真实温度。zui为典型的附加反射镜是半球反射镜。球附近被测表面的漫射辐射能受半球镜反射回到表面而形成附加辐射，从而提高发射系数式中ε为材料表面发射率，ρ为反射镜的反射率。于气体和液体介质真实温度的辐射测量，则可以用插入耐热材料管定深度以形成黑体空腔的方法。通过计算求出与介质达到热平衡后的圆筒空腔的发射系数。在自动测量和控制中就可以用此值对所测腔底温度（即介质温度）进行修正而得到介质的真实温度。 BALLUFF传感器说明书，德国BALLUFF传感器说明书，BALLUFF/39529839/39529830：单荣兵

当有两种不同的导体和半导体A和B组成个回路，其两端相互连接时，只要两结点处的温度不同，端温度为T，称为工作端或热端，另端温度为TO，称为自由端（也称参考端）或冷端，则回  温度传感器
路中就有电流产生，如图2-1（a）所示，即回路中存在的电动势称为热电动势。这种由于温度不同而产生电动势的现象称为塞贝克效应。与塞贝克有关的效应有两个：其，当有电流流过两个不同导体的连接处时此处便吸收或放出热量（取决于电流的方向），称为珀尔帖效应；其二，当有电流流过存在温度梯度的导体时，导体吸收或放出热量（取决于电流相对于温度梯度的方向），称为汤姆逊效应。两种不同导体或半导体的组合称为热电偶。热电偶的热电势EAB（T，T0）是由接触电势和温差电势合成的。接触电势是指两种不同的导体或半导体在接触处产生的电势，此电势与两种导体或半导体的性质及在接触点的温度有关。温差电势是指同导体或半导体在温度不同的两端产生的电势，此电势只与导体或半导体的性质和两端的温度有关，而与导体的长度、截面大小、沿其长度方向的温度分布无关。无论接触电势或温差电势都是由于集中于接触处端点的电子数不同而产生的电势，热电偶测量的热电势是二者的合成。当回路断开时，在断开处a，b之间便有电动势差△V，其极性和大小与回路中的热电势致。并规定在冷端，当电流由A流向B时，称A为正极，B为负极。实验表明，当△V很小时，△V与△T成正比关系。定义△V对△T的微分热电势为热电势率，又称塞贝克系数。塞贝克系数的符号和大小取决于组成热电偶的两种导体的热电特性和结点的温度差。/39529839/39529830：单荣兵